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中频电炉功率上不去故障分析

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发表于 2015-4-5 13:56:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
设备工作正常,但功率上不去分析处理:设备工作正常,只能说明设备各部件完好。功率上不去说明设备各参数调整不合适,影响设备功率上不去的主要原因有: 1、炉体与电源不配套,严重影响功率输出 2、整流部分没调好,整流管未完全导通,直流电压没达到额定值,影响功率输出 3、中频炉输出回路的分布电感和谐振回路的附加电感过大,也影响最大功率输出 4、中频炉电压值调得过高过低,影响功率输出 5、截流、截压值调节得不当,使得功率输出低 6、补偿电容器配置得过多或过少,都得不到电效率和热效率最佳的功率输出,即得不到最佳的经济功率输出.
  中频电源板不带负载电感线圈检查实际就是一个空机的调试,调试进入到这以后应就是一些逆变元件(热电容、电感、水套等的普通绝缘检查及在机根据电感线圈逆变角度调整了)。

中频电源系统维护
系统维护分为三大部分:水路系统,机械系统和电气系统,重点是电气系统的维护。
实践证明:中频电源系统绝大多数故障的发生与水路有直接关系。因此,水路要求水质、水压、水温、流量务必达到设备规定要求。
电气系统的维护: 电气系统必须定期检修,由于主回路连接部分容易发热,从而引起打火,出现许多莫名故障
邢台;中频电炉(453141807)  11:32:00
可控硅两端为什么并联电阻和电容
一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道,晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数-断态电压临界上升率,它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管(可控硅)误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管(可控硅)安全运行,常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。同时,避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大,造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差,如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一

中频炉加热功率上不去,可从以下两种情况来进行分析: 1、可控硅中频电炉装置低功率工作正常,功率升高时过流或过压保护动作,这种情况可对下述部位进行检查处理:
① 主电路可控硅元件是否老化,其电流,电压耐值下降;
② 主电路可控硅阻容吸收电路是否接触不良,有无损坏或断线;
③ 电抗器,负载感应器匝间绝缘是否良好;
④ 冷却水路有无堵塞,水温是否过高,水压是否过低;
⑤ 负载补偿电容器耐压是否下降;⑥ 控制系统抗干扰性能是否下降(尤其是可控硅触发电路),因为随中频功率上升时,干扰也会加大,过流或过压保护可能会误动作;⑦ 逆变电路触发引前脚是否太小,当电流上升时,换流不成功而使过流保护动作;
⑧ 主电路可控硅波形是否正常(整流电路输出是否缺相,逆变电路输出是否缺相);
⑨ 主电路的对地绝缘是否下降;
⑩ 过流过压整定值有无变化。
陆经理 15997202523





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